一、特点
工作温度宽、温度特性低
低损耗、高Q值
绝缘电阻大、漏电流小
二、应用
可以广泛应用于高至Ku波段、低损耗、高可靠、高温度稳定为主要考虑因素的混合微波电路
三、性能对比
相比较的性能 | MIS电容（22pF） | 陶瓷电容（20pF） |
工作温度范围 | -65℃~+150℃ | -65℃~+125℃ |
温度系数 | 50PPM | 1000PPM |
电容插损（15GHz 50Ω带线） | 0.06dB | 0.2dB |
芯片尺寸 | 18×18mils | 50×50mils |
四、产品外形尺寸
单位为：μm
产品型号 | 尺寸代号：A、B |
尺寸A | 尺寸B | 公差值 |
CS100VXXXXM4646C | 460 | 460 | 30 |
CS100VXXXXM7676C | 760 | 760 | 30 |
CS100VXXXXM3030C | 300 | 300 | 30 |
CS100VXXXXM15075C | 1500 | 750 | 30 |
五、产品最大额定值（TA=25℃）
额定电压VN(V) | 贮存温度Tstg(℃) | 工作温度Top(℃) |
100 | -55~+175 | -55~+150 |
六、产品主要电特性（TA=25℃）
型号 | 电容量C | 额定电压VN | 绝缘电阻R | 漏电流IR | 封装类型 |
变化量±20%pF | 最大值V | 最小值MΩ | 最大值nA |
测试条件 | f=1MHz VT=1V | -- | VT=100V | VT=100V | -- |
CS100V0108M3030C | 1.8 | 100 | 2000 | 50 | 芯片 |
CS100V0206M3030C | 2.6 | 100 | 2000 | 50 | 芯片 |
CS100V0308M3030C | 3.8 | 100 | 2000 | 50 | 芯片 |
CS100V0506M3030C | 5.6 | 100 | 2000 | 50 | 芯片 |
CS100V0608M3030C | 6.8 | 100 | 2000 | 50 | 芯片 |
CS100V1000M3030C | 10 | 100 | 2000 | 50 | 芯片 |
CS100V0802M4646C | 8.2 | 100 | 2000 | 50 | 芯片 |
CS100V1000M4646C | 10 | 100 | 2000 | 50 | 芯片 |
CS100V1500M4646C | 15 | 100 | 2000 | 50 | 芯片 |
CS100V2200M4646C | 22 | 100 | 2000 | 50 | 芯片 |
CS100V3300M4646C | 33 | 100 | 2000 | 50 | 芯片 |
CS100V4700M4646C | 47 | 100 | 2000 | 50 | 芯片 |
CS100V6800M4646C | 68 | 100 | 2000 | 50 | 芯片 |
CS50V1010M4646C | 100 | 50 | 1000 | 50 | 芯片 |
CS100V1010M7676C | 100 | 100 | 2000 | 50 | 芯片 |
CS50V6800M150075C | 68 | 350 | 2000 | 50 | 芯片 |
